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              高壓(HV)集成電路ESD/LU防護設計技術(高階)
   入學要求

        學員學習本課程應具備下列基礎知識:
        ◆電路系統的基本概念。

   班級規模及環境--熱線:4008699035 手機:15921673576( 微信同號)
       每期人數限3到5人。
   上課時間和地點
上課地點:【上海】:同濟大學(滬西)/新城金郡商務樓(11號線白銀路站) 【深圳分部】:電影大廈(地鐵一號線大劇院站)/深圳大學成教院 【北京分部】:北京中山學院/福鑫大樓 【南京分部】:金港大廈(和燕路) 【武漢分部】:佳源大廈(高新二路) 【成都分部】:領館區1號(中和大道) 【沈陽分部】:沈陽理工大學/六宅臻品 【鄭州分部】:鄭州大學/錦華大廈 【石家莊分部】:河北科技大學/瑞景大廈 【廣州分部】:廣糧大廈 【西安分部】:協同大廈
最近開課時間(周末班/連續班/晚班)
高壓(HV)集成電路開課時間:2020年3月16日
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   質量保障

        1、培訓過程中,如有部分內容理解不透或消化不好,可免費在以后培訓班中重聽;
        2、培訓結束后,授課老師留給學員聯系方式,保障培訓效果,免費提供課后技術支持。
        3、培訓合格學員可享受免費推薦就業機會。

        高壓(HV)集成電路ESD/LU防護設計技術(高階)


課程說明及重點

高壓制程電子產品一般最大的可靠性問題是靜電放電(ESD) 很差、閂鎖(LU)能力也很差,而且模擬高壓電路輸出端口又會占很大面積,這會影響使其ESD能力通常非常不佳。ESD)/LU破壞是影響IC可靠性的重要因素也是延緩產品上市的主因,因此無論由制程上、設計上全方位的防護措施是必要的。本課程是高壓集成IC ESD/LU防護設計上之實務課程,更是各高壓集成IC產品ESD可靠度防護上最熱門的技術。

本課程將從各種HV CMOS元器件、晶圓廠技術平臺、HV組件的汲極工程、高壓元器件ESD/LU能力如何測試介紹起,進而談論HV CMOS 的各電性、可靠度缺點、晶圓廠HV ESD/LU 防護設計法則及各種ESD/LU保護策略及如何保護HV LDMOS與HV 集成電路ESD/LU防護實際案例分析,最后期許學員能對HV制程工藝及組件結構充分理解,并熟悉HV IC靜電防護及LU免疫設計之防制意義。

授課對象

現職從事模擬IC與電子產品之RD設計、布局、制造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員 (對ESD/LU防護已有認識者)。

課程大綱


第一階段 :

I. High-Voltage CMOS Devices

◎ What’s an HV Technology ?

◎ How These Products Use the HV Process ?

◎ Foundry Technology Platform

II. Device Engineering for HV Devices

◎ Basic Concepts of an HV IC

◎ Well Engineerings

◎ Electrical Behaviors

III. HV ESD/LU Testing Issues

◎ How to Do an HV IC ESD Testing ?

◎ How to Do an HV IC Latch-up Testing ?

第二階段:

III. Weakness Issues in the HV CMOS Process

◎ High Resistive ESD Element Influence

◎ Intrinsic HV nMOS Reliability Problem

◎ Why ESD Level of the HV-CMOS I/O Protection Circuit is So Bad ?

◎ How About the Occurred Failure Mode in the HV CMOS ?

◎ HV Multi-Finger O/P nMOS Driver Protection Challenge

◎ Impact of Low-Holding-Voltage Issue in HV CMOS Technology

IV HV ESD/LU Rules (ex: 5V/30V/40V)

◎ Foundry HV ESD Design Rules

◎ Foundry HV LU Design Rules

V. Some Strategies of ESD/LU Protection Design in a HV CMOS Process

◎ How to Improve Low Vh ?

◎ How to Adjust Vt1 ?

◎ How to Guarantee That Vt2 >Vt1 ?

◎ How About the Single Finger Width Effect ?

◎ Which One Device Is More Better ?

◎ How About the N-Well Effect in a HV Drain Side ?

Day 3:

VI. How to Protect the HV LDMOS?

◎How to Do a Good ESD Immunity in the HV LDMOS?

◎ESD Protection Methods & Patents for the HV LDMOS

VII. (HV ESD/LU Cases Study)

VIII. Summary

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