【培訓(xùn)大綱: 】

第一階段

第1部分 概述
1.1 模擬集成電路設(shè)計
1.2 字符、符號和術(shù)語
1.3 模擬信號處理
1.4 vlsi混合信號電路設(shè)計模擬舉例

實驗

第2部分 cmos技術(shù)
2.1 基本mos半導(dǎo)體制造工藝
2.2 pn結(jié)
2.3 mos晶體管
2.4 無源元件
2.5 關(guān)于cmos技術(shù)的其他考慮
2.6 集成電路版圖

實驗

第3部分 cmos器件模型
3.1 簡單的mos大信號模型(spice level1)
3.2 其他mos管大信號模型的參數(shù)
3.3 mos管的小信號模型
3.4 計算機仿真模型
3.5 亞閾值電壓區(qū)mos模型
3.6 mos電路的spice模擬

實驗

第4部分 模擬cmos子電路
4.1 mos開關(guān)
4.2 mos二極管/有源電阻
4.3 電流漏和電流源
4.4 電流鏡
4.5 基準(zhǔn)電流和電壓
4.6 帶隙基準(zhǔn)

實驗

第5部分 cmos放大器
5.1 反相器
5.2 差分放大器
5.3 共源共柵放大器
5.4 電流放大器
5.5 輸出放大器
5.6 高增益放大器結(jié)構(gòu)

實驗

 

第二階段

5. 開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)分析
1）分析方法
2）濾波器設(shè)計
3）器件特性（分析如何提高精度、降低誤差）
4）DC－DC轉(zhuǎn)換
5）怎樣產(chǎn)生高壓、倍壓電路
6）軟件分析
6. 比較器電路設(shè)計
1）比較器參數(shù)的要求（功耗、速度、電壓等）
2）怎樣設(shè)計比較器以及與運放的差別
7. 負反饋放大器
8. 振蕩器 ...

第三階段

由于CMOS工藝日益完善，并具有高集成度、低成本、低功耗與數(shù)模兼容等特點，已成為當(dāng)前集成電路的主要工藝；

本階段課程分成3大部分：

CMOS器件，單元電路，CMOS運放的原理與設(shè)計技術(shù)，并介紹低電壓、低功耗、高速運放的設(shè)計方法。通過該部分學(xué)習(xí)，使學(xué)員掌握CMOS模擬電路的基本設(shè)計技能。

三、 高性能CMOS模擬電路的設(shè)計技術(shù)：
這部分主要介紹高性能A/D，∑△A/D，PLL，SC等電路原理及設(shè)計技術(shù)，并提供當(dāng)前主要研究成果以及發(fā)展方向。
本課程采用當(dāng)前最權(quán)威的CMOS模擬集成電路設(shè)計教材，并結(jié)合實際情況，介紹與交流CNOS模擬集成電路的實際設(shè)計經(jīng)驗與最新的研究成果。

第四階段

第6部分 cmos運算放大器
6.1 cmos運算放大器設(shè)計
6.2 運算放大器的補償
6.3 兩級運算放大器設(shè)計
6.4 兩級運算放大器的電源抑制比
6.5 共源共柵運算放大器
6.6 運算放大器的仿真和測量
6.7 運算放大器的宏模型

實驗

第7部分 高性能cmos運算放大器
7.1 緩沖運算放大器
7.2 高速/高頻cmos運算放大器
7.3 差分輸出運算放大器
7.4 微功耗運算放大器
7.5 低噪聲運算放大器
7.6 低電壓運算放大器
7
實驗

第8部分 比較器
8.1 比較器的特性
8.2 兩級開環(huán)比較器
8.3 其他開環(huán)比較器
8.4 開環(huán)比較器性能的改進
8.5 離散時間比較器
8.6 高速比較器

實驗

第9部分 開關(guān)電容電路
9.1 開關(guān)電容電路
9.2 開關(guān)電容放大器
9.3 開關(guān)電容積分器
9.4 兩相開關(guān)電容電路的z域模型
9.5 一階開關(guān)電容電路
9.6 二階開關(guān)電容電路
9.7 開關(guān)電容濾波器

實驗

第10部分 數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換器
10.1 數(shù)模轉(zhuǎn)換器簡介及特性
10.2 并行數(shù)模轉(zhuǎn)換器
10.3 并行數(shù)模轉(zhuǎn)換器分辨率的擴展
10.4 串行數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器
10.5 模數(shù)轉(zhuǎn)換器簡介和特性
10.6 串行模數(shù)轉(zhuǎn)換器
10.7 中速模數(shù)轉(zhuǎn)換器
10.8 高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器
10.9 過采樣轉(zhuǎn)換器

實驗